變更日期：2022年4月19日

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ES32F365x_Datasheet_C V1.4

1.表5-4中，fHCLK1，fHCLK1，fPCLK1，修訂為96MHz

2.表5-5中，增加Vstart，VDD上電初始電壓最大值200mV

3.表5-6中，根據最新實測值，修訂VBOR最小值，典型值和最大值;VBOR電壓遲滯修訂為10mV

4.表5-7,5-8,5-9中，最大值，TA=85修訂為典型值，TA=25；表5-7中，HOSC時鐘源，所有外設使能條件下，IVDD修訂為96MHz 24.6mA 72MHz 19.8mA 48MHz 14.0mA 36MHz 11.0mA 24Mhz 7.6mA

5.表5-10中，最大值（VDD=5V,TA=85）修訂為典型值，外設關閉條件下的參數由134修訂為137

6.表5-11中，最大值（VDD=5V,TA=85）修訂為典型值，且修正所有參數值。

7.表5-12中，修訂standby模式下的電流特性，且增加備注：STANDBY模式下的電流特性值，是基于PIN1與其他VDD保持約0.3V壓差的測試條件下得到的。

8.表5-16中，CL1，CL2的典型值修訂為15

9.表5-18，ACCHRC24M，最大值修訂為3，IDD，HRC電流，24MHz，典型值修訂為160

10.表5-19，ACCLRC精度在全溫度范圍內修訂為10%

11.表5-20，ACCULRC，TA=25，最大值修訂為10，TA=–40~85°C,最大值修訂為30

12.表5-26中，VIL增加TA=–40~+85°CVDD=3.3V條件下的特性值；VIH增加TA=–40~+85°CVDD=3.3V條件下的特性值；IOL在VDD=2.5V VOL=0.2V的條件下，最小值，典型值，最大值修訂為0.6,0.8和1.0；I/O上下拉電阻RPU和RPD最小，典型和最大值修訂為34，35，36kΩ。

13.更新5.5.11章節的電流驅動曲線圖

14.表5-33中，修訂VREFP_INT，VDD=3.3V~5V，最小值為1.95，最大值為2.10

15.表5-34，ERRINL最大值修訂為14LSB

16.表5-35，ERRDNL最大值修訂為8LSB；ERRINL最大值修訂為18LSB

17.表5-36中，修訂ERRDNL最大值為7;修訂ERRINL，典型值為25，最大值為40

18.修訂圖5-1

19.章節3.2管腳功能定義中，ACMP0修訂為ACMP

ES32F366x_Datasheet_C V1.4

1.表2-1中，GPIO數量修訂為88,52,36

2.表5-4中，fHCLK1，fHCLK2，fPCLK1，修訂為96MHz

3.表5-5中，增加Vstart，VDD上電初始電壓最大值200mV

4.表5-6中，根據最新實測值，修訂VBOR最小值，典型值和最大值

5.表5-7,5-8,5-9中，最大值，TA=85修訂為典型值，TA=25；表5-7中，HOSC時鐘源，所有外設使能條件下，IVDD修訂為96MHz 24.6mA 72MHz 19.8mA 48MHz 14.0mA 36MHz 11.0mA 24Mhz 7.6mA

6.表5-10中，最大值（VDD=5V,TA=85）修訂為典型值，外設關閉條件下的參數由134修訂為137

7.表5-11中，修訂STOP2模式下的功耗值

8.表5-12中，修訂standby模式下的電流特性，并增加備注：STANDBY模式下的電流特性值，是基于PIN1與其他VDD保持約0.3V壓差的測試條件下得到的。

9.表5-16中，CL1，CL2的典型值修訂為15

10.表5-18，ACCHRC24M，最大值修訂為3，IDD，HRC電流，24MHz，典型值修訂為160

11.表5-19，ACCLRC精度在全溫度范圍內修訂為10%

12.表5-20，ACCULRC，TA=25，最大值修訂為10；TA=–40~85°C,最大值修訂為30

13.表5-26中，IOL在VDD=2.5V VOL=0.2V的條件下，最小值，典型值，最大值修訂為0.6,0.8和1.0；I/O上下拉電阻RPU和RPD最小，典型和最大值修訂為34，35，36kΩ。

14.表5-35，ERRINL最大值修訂為14LSB

15.表5-36，ERRDNL最大值修訂為8LSB；ERRINL最大值修訂為18LSB

16.表5-37中，修訂ERRDNL最大值為7;修訂ERRINL，典型值為25，最大值為40

17.修訂圖5-1

18.章節3.2管腳功能定義中，ACMP0修訂為ACMP

ES32F369x_Datasheet_C V1.4

1.表5-4中，fHCLK1，fHCLK2，fPCLK1，修訂為96MHz

2.表5-5中，增加Vstart，VDD上電初始電壓最大值200mV

3.表5-6中，根據最新實測值，修訂VBOR最小值，典型值和最大值；VBOR電壓遲滯修訂為10mV

4.表5-7,5-8,5-9中，最大值，TA=85修訂為典型值，TA=25；表5-7中，HOSC時鐘源，所有外設使能條件下，IVDD修訂為

96MHz 24.6mA

72MHz 19.8mA

48MHz 14.0mA

36MHz 11.0mA

24MHz 7.6mA

5.表5-10中，最大值（VDD=5V,TA=85）修訂為典型值，外設關閉條件下的參數由134修訂為137

6.表5-11中，修訂STOP2模式下的功耗值

7.表5-12中，修訂standby模式下的電流特性，并增加備注：STANDBY模式下的電流特性值，是基于PIN1與其他VDD保持約0.3V壓差的測試條件下得到的。

8.表5-16中，CL1，CL2的典型值修訂為15

9.表5-18，ACCHRC24M，最大值修訂為3，IDD，HRC電流，24MHz，典型值修訂為160

10.表5-19，ACCLRC精度在全溫度范圍內修訂為10%

11.表5-20，ACCULRC，TA=25，最大值修訂為10；TA=–40~85°C,最大值修訂為30

12.表5-26中，VIL(CMOS)條件下的最大值修訂為0.2xVDD；VIL(TTL)條件下，VDD=5V時，最大值修訂為0.8V，VDD=3.3V時，最大值修訂為0.6V；IOL在VDD=2.5VVOL=0.2V的條件下，最小值，典型值，最大值修訂為0.6,0.8和1.2；I/O上下拉電阻RPU和RPD最小，典型和最大值修訂為34，35，36kΩ。

13.更新5.5.11章節的電流驅動曲線圖

14.表5-34，VREFP_INT在條件VDD=3.3V~5V下，修訂為最小值1.95，最大值2.10

15.表5-35，ERRINL最大值修訂為14LSB

16.表5-36，ERRDNL最大值修訂為8LSB；ERRINL最大值修訂為18LSB

17.表5-37中，修訂ERRDNL最大值為7;修訂ERRINL，典型值為25，最大值為40

18.修訂圖5-1

19.章節3.2管腳功能定義中，ACMP0修訂為ACMP

ES32F36xx_Reference_Manual_C V1.4

1.表3-4中，WAKEUP端口中斷修訂為WAKEUP端口電平變化

2.章節5.2，添加“存儲器讀取等待時間可配置”特性的描述

3.章節5.5.2.10，修訂MSC_FLASHFPL的復位值為0x0000003F

4.章節6.4.2.3，修訂SYSCFG_USBCFG的復位值為0x01680003

5.章節7.4.3.6，修訂“APB2外設可工作”為“ACMP，LVD，IWDT，WWDT，RTC，TSENSE等可工作”

6.章節9.5.2.2，修訂CMU_CFGR的復位值為0x04000000

7.章節9.5.2.17，修訂CMU_PERIDIVR的復位值為0x00000000

8.章節14.4.2.3，修訂WWDTWIN中11設置的描述

9.章節20.5.2.16，修訂AD16C4Tn_AR的復位值為0x0000FFFF

10.章節21.5.2.3，修訂GP16C4Tn_SMCON寄存器中ETFLT的寄存器描述

11.章節32.5.2.25，修改ADCH_PBUF_EN和ADCH_NBUF_EN比特位的描述

12.章節29.5.2，修訂USB_TXIE，USB_RXIE，USB_CONFIG0的復位值為0x00000000

13.章節31.6.2，修訂QSPI_SPR，QSPI_IFR的復位值為00000000_00000000_00000000_00000000和00000000_00000000_00001000_00000000;修訂QSPI_FCWLR為(R/W)，QSPI_FCWHR為(R/W)

14.更新圖25-11，圖25-12，圖25-14，圖25-25