變更日期：2023年12月8日

變更內(nèi)容：

AN2018_Application_Note_ES32F36xx V1.6

1. 在2.3章節(jié)中，修訂FLASH的注意事項(xiàng)4

2. 在3.4章節(jié)中，增加UART注意事項(xiàng)8

3. 在3.5章節(jié)中，增加SPI注意事項(xiàng)6

4. 在3.10章節(jié)中，增加ADC注意事項(xiàng)5

AN2041_Application_Note_ES32F3366 V1.3

1. 在2.3章節(jié)中，修訂FLASH注意事項(xiàng)4

ES32F36xx_Reference_Manual_C V1.6

1. 章節(jié)27.5.2.10中，TXTH發(fā)送器觸發(fā)閾值11修訂為保留；RXTH接收器觸發(fā)閾值10、11修訂為保留

2. 在電池管理及低功耗模式章節(jié)中，修改表7-1 STOP1/2下HOSC、HRC為可使能

3. 芯片配置指引章節(jié)中，表3-10、3-11 STOP2修改為可配置

4. 章節(jié)28.5.2.12，CAN外設(shè)BTIM寄存器的BPSC位從0~9改為0~8

ES32F3366_Reference_Manual_C V1.3

1. 章節(jié)28.5.2.10，TXTH發(fā)送器觸發(fā)閾值11修訂為保留；RXTH接收器觸發(fā)閾值10、11修訂為保留

2. 章節(jié)30.5.2.12，CAN外設(shè)BTIM寄存器的BPSC位從0~9改為0~8